АНТИСЕГНЕТОЭЛЕ́КТРИКИ

АНТИСЕГНЕТОЭЛЕ́КТРИКИ, ве­ще­ст­ва (обыч­но ди­элек­три­ки), для ко­то­рых ха­рак­тер­на ано­ма­лия ди­элек­три­че­ской про­ни­цае­мо­сти, воз­ник­но­ве­ние сверх­струк­ту­ры ни­же темп-ры фа­зо­во­го пе­ре­хо­да и от­сут­ст­вие мак­ро­ско­пич. спон­тан­ной элек­трич. по­ля­ри­за­ции. Тер­мин «А.» ис­то­ри­че­ски воз­ник для иден­ти­фи­ка­ции элек­трич. ана­ло­гов ан­ти­фер­ромаг­не­ти­ков. В ре­зуль­та­те сме­ще­ний ато­мов при струк­тур­ном фа­зо­вом пе­ре­хо­де в А. воз­ни­ка­ет ан­ти­па­рал­лель­ная ори­ен­та­ция ди­поль­ных мо­мен­тов со­сед­них эле­мен­тар­ных яче­ек, и ре­зуль­ти­рую­щий ди­поль­ный мо­мент ста­но­вит­ся рав­ным ну­лю. В ря­де ве­ществ сво­бод­ная энер­гия ан­ти­сег­не­то­элек­трич. фа­зы ока­зы­ва­ет­ся близ­ка к энер­гии сег­не­то­элек­трич. фа­зы (см. Сег­не­то­элек­три­ки), и на­ло­же­ни­ем элек­трич. по­ля мож­но осу­ще­ст­вить пе­ре­ход ме­ж­ду эти­ми фа­за­ми. В та­ких слу­ча­ях на­блю­да­ют­ся ха­рак­тер­ные за­ви­си­мо­сти по­ля­ри­за­ции от элек­трич. по­ля – двой­ные пет­ли гис­те­ре­зи­са ни­же темп-ры фа­зо­во­го пе­ре­хо­да. Ти­пич­ны­ми А. яв­ля­ют­ся кри­стал­лы $\ce{PbZrO_3, WO_3, NaNbO_3, NH_4H_2PO_4}$.