ТЕНЗОРЕЗИСТИ́ВНЫЙ ЭФФЕ́КТ

ТЕНЗОРЕЗИСТИ́ВНЫЙ ЭФФЕ́КТ (пье­зо­со­про­тив­ле­ние), из­ме­не­ние элек­трич. со­про­тив­ле­ния (про­во­ди­мо­сти) кри­стал­лов под дей­ст­ви­ем все­сто­рон­не­го cжа­тия (pастяжения) или од­но­ос­ной де­фор­ма­ции. Т. э. осо­бен­но ве­лик в по­лу­про­вод­ни­ках, где он свя­зан с из­ме­не­ни­ем энер­ге­тич. спек­тра но­си­те­лей за­ря­да при де­фор­ма­ции (в ча­ст­но­сти, с из­ме­не­ни­ем ши­ри­ны за­пре­щён­ной зо­ны и энер­гии ио­ни­за­ции при­мес­ных уров­ней), с от­но­сит. из­ме­не­ни­ем энер­гии отд. до­лин в мно­го­до­лин­ных по­лу­про­вод­ни­ках, с рас­ще­п­ле­ни­ем ды­роч­ных зон, ко­то­рые при от­сут­ст­вии де­фор­ма­ции вы­ро­ж­де­ны, с из­ме­не­ни­ем эф­фек­тив­ной мас­сы но­си­те­лей за­ря­да (см. Зон­ная тео­рия). Кро­ме то­го, де­фор­ма­ция влия­ет на про­цес­сы рас­сея­ния но­си­те­лей за­ря­да (по­яв­ле­ние но­вых де­фек­тов, из­ме­не­ние фо­нон­но­го спек­тра). Всё это при­во­дит к из­ме­не­нию кон­цен­тра­ции и под­виж­но­сти но­си­те­лей за­ря­да и, сле­до­ва­тель­но, к из­ме­не­нию про­во­ди­мо­сти. Т. э. ис­поль­зу­ет­ся в тен­зо­дат­чи­ках, при­ме­няе­мых в тен­зо­мет­рах.