ТЕНЗОРЕЗИСТИ́ВНЫЙ ЭФФЕ́КТ
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ТЕНЗОРЕЗИСТИ́ВНЫЙ ЭФФЕ́КТ (пьезосопротивление), изменение электрич. сопротивления (проводимости) кристаллов под действием всестороннего cжатия (pастяжения) или одноосной деформации. Т. э. особенно велик в полупроводниках, где он связан с изменением энергетич. спектра носителей заряда при деформации (в частности, с изменением ширины запрещённой зоны и энергии ионизации примесных уровней), с относит. изменением энергии отд. долин в многодолинных полупроводниках, с расщеплением дырочных зон, которые при отсутствии деформации вырождены, с изменением эффективной массы носителей заряда (см. Зонная теория). Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей заряда (появление новых дефектов, изменение фононного спектра). Всё это приводит к изменению концентрации и подвижности носителей заряда и, следовательно, к изменению проводимости. Т. э. используется в тензодатчиках, применяемых в тензометрах.