РЕКОМБИНА́ЦИЯ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
РЕКОМБИНА́ЦИЯ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА в полупроводниках, исчезновение пары свободных носителей заряда противоположных знаков (электронов и дырок) в результате перехода электрона из энергетич. состояния в зоне проводимости в незанятое энергетич. состояние в валентной зоне. При Р. н. з. выделяется энергия порядка ширины запрещённой зоны $\scr E_\rm g$. Различают излучательную и безызлучательную рекомбинацию. Первая сопровождается излучением кванта света с энергией $\hbar ω≈\scr E_\rm g$ (здесь $\hbar$ – постоянная Планка, $ω$ – частота). При безызлучательной Р. н. з. избыточная энергия может передаваться кристаллич. решётке путём возбуждения её колебаний (фононная безызлучательная рекомбинация) либо рекомбинирующий электрон посредством кулоновского взаимодействия может передать энергию др. электрону, переводя его в высокоэнергетич. состояние (т. н. оже-рекомбинация).