Подпишитесь на наши новости
Вернуться к началу с статьи up
 

АСЕ́ЕВ

  • рубрика

    Рубрика: Физика

  • родственные статьи
  • image description

    Электронная версия

    2015 год

  • image description

    Скопировать библиографическую ссылку:




АСЕ́ЕВ Александр Леонидович (р. 24.9.1946, Улан-Удэ), рос. физик, академик РАН (2006), председатель Президиума СО РАН (с 2008), вице-президент РАН (с 2008). После окончания Новосиб. гос. ун-та (1968) работает в Ин-те физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, в 1998–2013 директор. Проф. Томского гос. ун-та.

Осн. направления исследований – изучение атомных механизмов формирования ПП-систем пониженной размерности, развитие технологий ПП микро-, опто- и наноэлектроники. Получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния А. впервые обнаружены обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов. Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов ПП-электроники. А. принадлежат работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой и СВЧ-электроники, по материаловедению кремния. Под рук. А. в ин-те создан научно-технологич. комплекс для исследования ПП микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоёв кадмий-ртуть-теллур и ПП-структур с квантовыми ямами для нового поколения ИК фотоприёмных устройств.

Вернуться к началу