ОСЬ ЛЁГКОГО НАМАГНИ́ЧИВАНИЯ

ОСЬ ЛЁГКОГО НАМАГНИ́ЧИВАНИЯ, на­прав­ле­ние в кри­стал­ле, кол­ли­не­ар­но ко­то­ро­му ори­ен­ти­ро­ван век­тор на­маг­ни­чен­но­сти $\boldsymbol M$ фер­ро- или фер­ри­маг­нит­но­го до­ме­на в от­сут­ст­вие внеш­не­го маг­нит­но­го по­ля в ус­ло­ви­ях тер­мо­ди­на­мич. рав­но­ве­сия. На­прав­ле­ние О. л. н. оп­ре­де­ля­ет­ся из ус­ло­вия ми­ни­му­ма энер­гии маг­нит­ной ани­зо­тро­пии. В кри­стал­лах дос­та­точ­но вы­со­кой сим­мет­рии мо­жет быть неск. эк­ви­ва­лент­ных О. л. н.; так, в кри­стал­лах ку­бич. син­го­нии име­ют­ся три эк­ви­ва­лент­ные оси. Для ха­рак­те­ристи­ки маг­нит­ной ани­зо­тро­пии гек­са­го­наль­ных, тет­ра­го­наль­ных и ром­бо­эдрич. кри­стал­лов час­то ис­поль­зу­ют тер­ми­ны «лёг­кая ось» и «лёг­кая плос­кость» ($\boldsymbol M$ ле­жит в ба­зис­ной плос­ко­сти, ани­зо­тро­пия в ко­то­рой от­но­си­тель­но ма­ла).

Вы­де­ле­ние О. л. н. мо­жет быть обу­слов­ле­но ди­поль-ди­поль­ным взаи­мо­дей­ст­ви­ем или ани­зо­тро­пи­ей элек­трич. по­ля кри­стал­ла, ори­ен­ти­рую­ще­го ор­би­таль­ные мо­мен­ты элек­тро­нов от­но­си­тель­но кри­стал­ло­гра­фич. осей. При «за­мо­ро­жен­ных» ор­би­таль­ных мо­мен­тах (напр., в ато­мах с не­до­стро­ен­ны­ми элек­трон­ны­ми $d$-обо­лоч­ка­ми) она свя­за­на с ве­ли­чи­ной спин-ор­би­таль­но­го взаи­мо­дей­ст­вия, ко­то­рое стре­мит­ся рас­по­ло­жить спи­но­вые мо­мен­ты кол­ли­не­ар­но ор­би­таль­ным. В слу­чае не­за­мо­ро­жен­ных ор­би­таль­ных мо­мен­тов (напр., в ато­мах РЗЭ) энер­гия маг­нит­ной ани­зо­тро­пии оп­ре­де­ля­ет­ся не­по­сред­ст­вен­но внут­ри­кри­стал­ли­че­ским по­лем.

В фер­ро- и ан­ти­фер­ро­маг­не­ти­ках со слож­ной маг­нит­ной струк­ту­рой атом­ной на­прав­ле­ние осей, вдоль ко­то­рых рас­по­ла­га­ют­ся маг­нит­ные мо­мен­ты, мо­жет из­ме­нять­ся с из­ме­не­ни­ем темп-ры или под дей­ст­ви­ем внеш­них по­лей. Так, в со­еди­не­ни­ях RCo₅ (R – ред­ко­зе­мель­ный ме­талл) на­блю­да­ют­ся ори­ен­та­ци­он­ные фа­зо­вые пе­ре­хо­ды, при ко­то­рых О. л. н. вы­хо­дит из ба­зис­ной плос­ко­сти и рас­по­ла­га­ет­ся вдоль гек­са­го­наль­ной оси кри­стал­ла.