ОСЬ ЛЁГКОГО НАМАГНИ́ЧИВАНИЯ
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
ОСЬ ЛЁГКОГО НАМАГНИ́ЧИВАНИЯ, направление в кристалле, коллинеарно которому ориентирован вектор намагниченности $\boldsymbol M$ ферро- или ферримагнитного домена в отсутствие внешнего магнитного поля в условиях термодинамич. равновесия. Направление О. л. н. определяется из условия минимума энергии магнитной анизотропии. В кристаллах достаточно высокой симметрии может быть неск. эквивалентных О. л. н.; так, в кристаллах кубич. сингонии имеются три эквивалентные оси. Для характеристики магнитной анизотропии гексагональных, тетрагональных и ромбоэдрич. кристаллов часто используют термины «лёгкая ось» и «лёгкая плоскость» ($\boldsymbol M$ лежит в базисной плоскости, анизотропия в которой относительно мала).
Выделение О. л. н. может быть обусловлено диполь-дипольным взаимодействием или анизотропией электрич. поля кристалла, ориентирующего орбитальные моменты электронов относительно кристаллографич. осей. При «замороженных» орбитальных моментах (напр., в атомах с недостроенными электронными $d$-оболочками) она связана с величиной спин-орбитального взаимодействия, которое стремится расположить спиновые моменты коллинеарно орбитальным. В случае незамороженных орбитальных моментов (напр., в атомах РЗЭ) энергия магнитной анизотропии определяется непосредственно внутрикристаллическим полем.
В ферро- и антиферромагнетиках со сложной магнитной структурой атомной направление осей, вдоль которых располагаются магнитные моменты, может изменяться с изменением темп-ры или под действием внешних полей. Так, в соединениях RCo5 (R – редкоземельный металл) наблюдаются ориентационные фазовые переходы, при которых О. л. н. выходит из базисной плоскости и располагается вдоль гексагональной оси кристалла.