Подпишитесь на наши новости
Вернуться к началу с статьи up
 

ИНЖЕ́КЦИЯ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА

  • рубрика

    Рубрика: Физика

  • родственные статьи
  • image description

    В книжной версии

    Том 11. Москва, 2008, стр. 369

  • image description

    Скопировать библиографическую ссылку:




Авторы: В. А. Сабликов

ИНЖЕ́КЦИЯ НОСИ́ТЕЛЕЙ ЗАРЯ́ДА в по­лу­про­вод­ни­ках, про­ник­но­ве­ние не­рав­но­вес­ных (из­бы­точ­ных) но­си­те­лей за­ря­да (элек­тро­нов или ды­рок) в по­лу­про­вод­ник под дей­ст­ви­ем элек­трич. по­ля. Не­рав­но­вес­ные но­си­те­ли за­ря­да об­ра­зу­ют­ся в ре­зуль­та­те кон­так­та по­лу­про­вод­ни­ка с др. по­лу­про­вод­ни­ком или ме­тал­лом, а так­же под дей­ст­ви­ем све­та (фо­то­ин­жек­ция) или элек­трич. по­ля (ла­вин­ная и тун­нель­ная ин­жек­ция) и др.

Наи­боль­шее прак­тич. зна­че­ние име­ет кон­такт­ная ин­жек­ция, при ко­то­рой внеш­нее элек­трич. по­ле на­ру­ша­ет рав­но­ве­сие по­то­ков но­си­те­лей за­ря­да че­рез кон­такт. Ин­жек­ция про­ис­хо­дит, ес­ли внеш­нее по­ле на­прав­ле­но про­тив кон­такт­но­го по­ля, су­ще­ст­вую­ще­го вслед­ст­вие раз­но­сти ра­бот вы­хо­да кон­так­ти­рую­щих твёр­дых тел. Про­ник­но­ве­ние из­бы­точ­ных но­си­те­лей за­ря­да про­ис­хо­дит по-раз­но­му для ос­нов­ных и не­ос­нов­ных но­си­те­лей. Ин­жек­ция осн. но­си­те­лей соз­да­ёт не­ском­пен­си­ро­ван­ный про­стран­ст­вен­ный за­ряд, по­ле ко­то­ро­го пре­пят­ст­ву­ет их про­ник­но­ве­нию в глубь по­лу­про­вод­ни­ка и ог­ра­ни­чи­ва­ет ин­жек­ци­он­ный ток. Ин­жек­ция осн. но­си­те­лей на­блю­да­ет­ся в сло­ях вы­со­ко­ом­ных по­лу­про­вод­ни­ков и ди­элек­три­ков, тол­щи­на ко­то­рых срав­ни­ма с глу­би­ной про­ник­но­ве­ния не­рав­но­вес­ных но­си­те­лей за­ря­да. Она осу­ще­ст­в­ля­ет­ся ан­ти­за­пи­раю­щи­ми кон­так­та­ми. При ин­жек­ции не­ос­нов­ных но­си­те­лей их за­ряд ней­тра­ли­зу­ет­ся осн. но­си­те­ля­ми; по­это­му в по­лу­про­вод­ни­ках с вы­со­кой элек­тро­про­вод­но­стью не­ос­нов­ные но­си­те­ли пе­ре­ме­ща­ют­ся за счёт ам­би­по­ляр­ной диф­фу­зии и ам­би­по­ляр­но­го дрей­фа на дос­та­точ­но боль­шую глу­би­ну, ог­ра­ни­чен­ную ре­ком­би­на­ци­ей и за­хва­том но­си­те­лей на при­мес­ные цен­тры. Ин­жек­ция не­ос­нов­ных но­си­те­лей осу­ще­ст­в­ля­ет­ся за­пи­раю­щи­ми кон­так­та­ми: p–n-пе­ре­хо­да­ми и ге­те­ро­пе­ре­хо­да­ми. Эф­фек­тив­ность И. н. з. ха­рак­те­ри­зу­ет­ся ко­эф. ин­жек­ции, ко­то­рый оп­ре­де­ля­ет­ся как от­но­ше­ние то­ка ин­жек­ти­ро­ван­ных но­си­те­лей к пол­но­му то­ку че­рез кон­такт. В ан­ти­за­пи­раю­щих кон­так­тах в по­лу­про­вод­ни­ках име­ет ме­сто так­же яв­ле­ние ак­ку­му­ля­ции не­ос­нов­ных но­си­те­лей, по­хо­жее на И. н. з., но ха­рак­те­ри­зую­щее­ся зна­чи­тель­но мень­шей глу­би­ной про­ник­но­ве­ния но­си­те­лей заряда. И. н. з. ле­жит в ос­но­ве ра­бо­ты мн. по­лу­про­вод­ни­ко­вых при­бо­ров: дио­дов, би­по­ляр­ных и ге­те­ро­би­по­ляр­ных тран­зи­сто­ров, ин­жек­ци­он­ных ла­зе­ров и т. д.

Лит.: Лам­перт М., Марк П. Ин­жек­ци­он­ные то­ки в твер­дых те­лах. М., 1973; Бонч-Бруе­вич В. Л., Ка­лаш­ни­ков С. Г. Фи­зи­ка по­лу­про­вод­ни­ков. М., 1990.

Вернуться к началу