АКУ́СТОМАГНИ́ТОЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЙ ЭФФЕ́КТ
-
Рубрика: Физика
-
-
Скопировать библиографическую ссылку:
АКУ́СТОМАГНИ́ТОЭЛЕКТРИ́ЧЕСКИЙ ЭФФЕ́КТ, возникновение разности потенциалов в пьезополупроводниковом кристалле, находящемся в магнитном поле, в направлении, перпендикулярном магнитному полю и направлению распространения акустич. волн. Предсказан Ю. В. Гуляевым и Э. М. Эпштейном в 1967. А. э. обусловлен наличием зависимости времени релаксации носителей заряда от их энергии. Вследствие акустоэлектронного взаимодействия в кристалле возникает ток увлечения носителей заряда акустич. волной (см. Акустоэлектрический эффект) в направлении распространения волны. Вследствие этого на торцевых гранях кристалла возникают заряды, поле которых вызывает электрич. ток, текущий в противоположном направлении. В разомкнутом образце суммарный ток в направлении распространения акустич. волны равен нулю, и эти токи в каждой точке кристалла в точности компенсируют друг друга. За счёт Холла эффекта каждый из этих токов должен вызывать накопление зарядов на поверхности образца в направлении, перпендикулярном к направлению распространения волны и магнитному полю. Если время релаксации свободных носителей заряда зависит от энергии, то холловские токи, вызываемые акустоэлектрич. увлечением носителей заряда и компенсирующим током, не равны друг другу, и возникает разность потенциалов в поперечном направлении. Величина и знак разности потенциалов, возникающей вследствие А. э., зависят от конкретного механизма релаксации импульса свободных носителей заряда. Поэтому А. э. может быть использован при изучении механизмов релаксации электронов и дырок в полупроводниках.