Сегнетополупроводники́, материалы, обладающие одновременно свойствами сегнетоэлектриков и полупроводников. Сегнетоэлектрические свойства полупроводников впервые были обнаружены Б. М. Вулом при исследовании титаната бария в 1944 г. Сегнетополупроводники являются подклассом пироэлектриков; характерная особенность сегнетополупроводников состоит в том, что поляризация в них зависит от поля нелинейно (имеет место диэлектрический гистерезис), а её направление может быть изменено внешним электрическим полем. К сегнетополупроводникам относят большое число полупроводниковых соединений, как широкозонных (например, ниобаты лития, бария, стронция), так и узкозонных соединений группы $\text{A}^\text{IV}\text{B}^\text{VI}$ (например, $\text{SnTe}$, $\text{GeTe}$), а также соединения групп $\text{A}_2^\text{V}\text{B}_3^\text{VI}$ и $\text{A}^\text{V}\text{B}^\text{VI}\text{C}^\text{VII}$ (впервые – у $\text{SbSI}$). Сегнетополупроводники обладают фотоэлектрическими свойствами, что приводит к изменениям температурной зависимости диэлектрической проницаемости в области фазового перехода (фотогистерезисный эффект), а при генерации свободных носителей заряда при освещении может происходить экранирование ими спонтанной поляризации и изменение доменной структуры (фотодоменный эффект). В некоторых сегнетополупроводниках наблюдается фоторефрактивный эффект; сегнетополупроводники применяются для записи и обработки оптических сигналов в системах теплового контроля и измерительной технике, в конденсаторах большой ёмкости; высокоомные сегнетополупроводники применяются в гибридных структурах при управлении проводимостью полевых транзисторов.