Пра́вило Ма́ттиссена, эмпирическое правило, устанавливающее, что общее электрическое сопротивление кристаллического металлического образца $ρ(T)$ равно сумме сопротивления $ρ_ф(T)$, обусловленного рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях решётки (фононах), и сопротивления $ρ_0$, связанного с присутствием в металле примесных атомов и других дефектов кристаллической решётки:$ρ(T) = ρ_ф(T) + ρ_0$. Установлено британским учёным А. Маттиссеном в 1864 г.

Величина $ρ_ф$ обращается в нуль при температуре $T = 0 К$; $ρ_0$ определяет т. н. остаточное сопротивление металла при $T = 0 K$. Сопротивление $ρ_0$ представляет собой чувствительную характеристику совершенства образца. По величине $r = R_{300 К}/R_{4,2 К}$ (равной отношению сопротивления металла при температурах $300 К$ и $4,2 К$) определяют чистоту металла. Так, для чистых $Cu$ и $Al$ достигаются значения $r > 10^5$, однако для некоторых металлов $r < 10^3$. Согласно электронной теории металлов, рассеяние электронов на фононах приводит к зависимости $ρ_ф(T) ∼ T$ при $T ≫ θ_Д$ и $ρ_ф(T) ∼ T^5$ при $Т ≪ θ_Д$, где $θ_Д$ – температура Дебая. При низких температуpax наблюдается более сложная зависимость: например, для $Al$ $ρ ∼ T^3$ при $T = 8–20 К$, для $K$ $ρ ∼ exp(–20/T)$ при $T = 2–6 К$.

Правило Маттиссена является приближённым и может нарушаться вследствие корреляции между процессами решёточного и примесного рассеяний электронов. Тем не менее оно используется при приближённых оценках электрического сопротивления металлов.