Ама́но Хиро́си (天野浩) (род. 11.9.1960, Хамамацу, префектура Сидзуока), японский физик и инженер.

После окончания Нагойского университета (магистр, 1985; доктор, 1989) преподавал там же. С 1992 г. работал в Университете Мэйдзё (с 1998 доцент, с 2002 профессор). С 2010 г. профессор Нагойского университета.

Основные труды посвящены полупроводниковым материалам и приборам. С 1982 г. работал в группе под руководством Акасаки Исаму над получением, исследованием характеристик и применениям полупроводников на основе нитрида галлия $\text{GaN}$. Совместно с Акасаки Исаму предложил метод выращивания плёнок $\text{GaN}$ на подложках из сапфира через буферный аморфный слой $\text{AlN}$, в результате чего удалось создать первые эффективные p–n-переходы в $\text{GaN}$. В 1989 г. совместно с Акасаки Исаму показал, что на основе этих p–n-переходов можно создать перспективные для светотехники яркие синие светодиоды.

Лауреат Нобелевской премии по физике «за изобретение эффективных синих светодиодов, которые позволили создать яркие и энергосберегающие источники белого света» (2014, совместно с Акасаки Исаму и Накамурой Сюдзи).