Акаса́ки Иса́му (赤崎勇) (30.1.1929, г. Тиран, префектура Кагосима – 1 апреля 2021, Нагоя), японский физик.

Окончил Университет в Киото (1952), получил степень доктора в Университете в Нагое (1964). В 1952–1959 гг. работал в Kogyo Corporation (Кобе). С 1959 г. в Университете в Нагое (с 1964 доцент, с 1981 профессор). Одновременно с 1964 г. работал в компании Matsushita Electric Industrial.

Основные труды по физике полупроводников и полупроводниковым приборам. В конце 1960-х гг. начал исследование материалов на основе нитрида галлия $\text{GaN}$, перспективных для создания синих светодиодов. Совместно с Амано Хироси применил для выращивания плёнок $\text{GaN}$ метод металлоорганической эпитаксии, предложил выращивать плёнки $\text{GaN}$ на подложках из сапфира через буферный аморфный слой $\text{AlN}$, в результате чего удалось создать первые эффективные p–n-переходы в $\text{GaN}$. В 1989 г. совместно с Амано Хироси показал, что на основе этих p-n-переходов можно создать яркие синие светодиоды – эффективные источники света, перспективные для светотехники.

Лауреат Нобелевской премии по физике «за изобретение эффективных синих светодиодов, которые позволили создать яркие и энергосберегающие источники белого света» (2014, совместно с Амано Хироси и Накамурой Сюдзи).