- Автор:
- Ogata Y.H.
- Объём:
- 6 p.
- Язык текста:
- Английский
- Сведения об источнике:
- Journal of Applied Physics. – : American Institute of Physics, 2001. – Num.12. – P. 6487–6492.
Structural change in p-type porous silicon by thermal annealing
Y.H. Ogata, N. Yoshimi, R. Yasuda