Основы теории транзисторов

Технiка

1969

300 с.

Библиогр.: с. 292-297 (139 назв.)

Оглавление: Основы теории транзисторов — обложка книги. Обложка книги.Предисловие [3]; Глава 1. Электропроводность полупроводников [5]; 1. Энергетические диаграммы кристаллов [5]; 2. Электронная и дырочная проводимости полупроводника [11]; 3. Квантовая статистика электронов и дырок в полупроводнике. Уровень Ферми [16]; 4. Подвижность носителей тока в полупроводнике [25]; 5. Зависимость проводимости полупроводника от концентрации примесей и температуры [27]; 6. Рекомбинация и время жизни неравновесных носителей [29]; 7. Прохождение тока в полупроводнике [32]; 8. Изготовление монокристаллов германия и кремния [36];Глава 2. Теория электронно-дырочного перехода [41]; 1. Потенциальный барьер в равновесном p-n-переходе [41]; 2. Потенциальный барьер p-n-перехода при постоянном смещении [47]; 3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода [51]; 4. Ширина перехода. Напряженность поля и распределение потенциала в p-n-переходе [56]; 5. Емкостные свойства p-n-перехода [60]; 6. Пробой p-n-перехода [62];Глава 3. Общие сведения о плоскостных транзисторах [66]; 1. Принцип действия плоскостного транзистора в усилительном режиме [66]; 2. Бездрейфовый транзистор [69]; 3. Дрейфовый транзистор [72]; 4. Коэффициент усиления по току [74]; 5. Понятие об эквивалентных схемах транзисторов [78]; 6. Общие вопросы конструирования транзисторов [79]; 7. Технологические методы изготовления транзисторов [82];Глава 4. Анализ процессов переноса носителей в базовой области [88]; 1. Постановка задачи и основные допущения [88]; 2. Общее решение уравнения переноса носителей плоскостного транзистора [90]; 3. Распределение постоянной составляющей неравновесных носителей в базе плоскостного транзистора [94]; 4. Решение уравнения переноса носителей для составляющих плотности избыточных дырок [100]; Глава 5. Статические характеристики транзисторов [108]; 1. Основные уравнения вольт-амперных характеристик транзистора [108]; 2. Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой [112]; 3. Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером [118];Глава 6. Частотные свойства плоскостного транзистора [124]; 1. Предельная частота коэффициента переноса Wa [124]; 2. Предельная частота дрейфового транзистора при переменной подвижности носителей в базе [129]; 3. Аппроксимация частотной зависимости коэффициента переноса транзистора [132]; 4. Предельная частота усиления по току реального транзистора [138]; 5. Определение предельной частоты сор теоретической модели по известной предельной частоте реального транзистора wa [145]; 6. Частотная зависимость коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером [148]; 7. Максимальная частота усиления по току [151]; 8. Максимальная частота генерации транзистора [155]; 9. Время переноса носителей через коллекторный переход и его влияние на частотные свойства транзистора [158];Глава 7. Анализ электрических свойств транзистора методом четырехполюсника [161]; 1. Методы анализа электрических свойств транзистора [161]; 2. Параметры транзистора как четырехполюсника [162]; 3. Применение уравнений четырехполюсника для расчета транзисторных схем [169];Глава 8. Эквивалентные схемы транзистора [171]; 1. Методы составления эквивалентных схем транзистора [171]; 2. Эквивалентные схемы замещения четырехполюсника [174]; 3. Матрица проводимости теоретической модели транзистора [176]; 4. Омические сопротивления базы и коллектора [183]; 5. Барьерные емкости p-n-переходов и индуктивности выводов транзистора [192]; 6. П-образная эквивалентная схема плоскостного транзистора [196]; 7. Эквивалентная схема для Z-параметров транзистора (Т-образная эквивалентная схема) [204];Глава 9. Шумы транзисторов [209]; 1. Методика оценки шумовых свойств транзистора [209]; 2. Основные источники шума в транзисторе [214]; 3. Эквивалентные шумовые схемы транзисторов. Зависимость коэффициента шума от режима транзистора и частоты [219];Глава 10. Работа транзистора в импульсном режиме [226]; 1. Статические характеристики транзистора в режиме большого сигнала [226]; 2. Анализ транзистора в режиме отсечки [228]; 3. Анализ транзистора в режиме насыщения [237]; 4. Общие сведения о переходных процессах в транзисторе [246]; 5. Анализ переходных процессов в транзисторе методом решения дифференциальных уравнений [251]; 6. Анализ переходных процессов в транзисторе методом эквивалентных схем [257]; 7. Анализ переходных процессов в транзисторе методом заряда [262]; 8. Влияние электронных токов и емкостей переходов на переходные процессы в транзисторе [266];Глава 11. Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры [269]; 1. Зависимость коэффициента усиления по току плоскостного транзистора от тока эмиттера [269]; 2. Влияние температуры на статические характеристики транзистора [277]; 3. Температурная зависимость параметров эквивалентной схемы транзистора [281]; 4. Тепловые характеристики транзистора в стационарном режиме [284]; 5. Динамический тепловой режим транзистора [288];ЛИТЕРАТУРА [292].

Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя р-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория р-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых транзисторов. Предназначена для инженеров, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, и может быть полезной студентам вузов.

Триоды полупроводниковые

Русский