- Заглавие:
Evolution of the strain relaxation in a Ge layer on Si (001) by reconstruction and intermixing
- Автор:
Voigtländer Bert
- Язык текста:
Английский
- Сведения об источнике:
Physical Review B. – 1999. – Vol. 60, № 8. – Art. R5121.
Библиографический источник
Evolution of the strain relaxation in a Ge layer on Si (001) by reconstruction and...
B. Voigtländer,M. Kästner